A Samsung iniciou a produção em massa de seus novos chips de memória interna no padrão eUFS de 512 GB de espaço de armazenamento. Isso representa o dobro do que existe em termos de memória interna máxima nos smartphones atuais. Segundo a empresa, as novas unidades de memória já estão prontas para equipar a próxima geração de smartphones e tablets.

Mas não foi só a capacidade de armazenamento que foi incrementada nos novos chips, o desempenho de de leitura e gravação também foi impulsionado. As velocidades sequenciais de leitura e gravação atingem 860MB por segundo e 255MB por segundo, respectivamente. Não chega a ser um enorme aumento quando comparado a um chip de 256GB, mas é o suficiente para transferir um video HD de 5GB para um disco rígido de estado sólido em cerca de seis segundos, o que representa oito vezes mais rápido do que um cartão microSD padrão. Ele também possui uma velocidade de leitura aleatória de 42.000 operações de entrada / saída por segundo (IOPS) e uma velocidade de gravação de 40.000 IOPS.

“A nova memória Samsung eUFS de 512 GB oferece uma melhor solução em memórias embutidas para uma próxima geração de smartphones premium ao suplantar potenciais limitações na performance do sistema passíveis de interrupção com o uso de cartões micro SD “, citou Jaesoo Han, vice-presidente executivo de marketing e vendas de memórias da Samsung.

A Samsung não se pronunciou se os os novos chips de memória interna estarão nos próximos smartphones da marca, mas não será nenhuma surpresa se já tivermos o próximo Galaxy S9 com 512 Gb de memória interna.

Via engadget

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Editor – Graduado em Marketing e hard user de tecnologia